SI2302CDS-T1-GE3
- Vishay
- Porcelana
- 21+/22+
- 5000~50000
1, suministro de fábrica EMS súper grande, las mejores condiciones de almacenamiento;
2, la fábrica original no ha abierto el estándar original (el paquete completo), la calidad está garantizada;
3, los materiales de control no especiales no se pueden pintar;
4, los productos del último año, disponibles para una variedad de materiales escasos;
| Atributo del producto | Valor de atributo | Seleccionar atributo |
|---|---|---|
| Vishay | ||
| Categoria de producto: | MOSFET | |
| RoHS: | Detalles | |
| Y | ||
| SMD/SMT | ||
| HOY-23-3 | ||
| Canal N | ||
| 1 canal | ||
| 20 voltios | ||
| 2,9A | ||
| 57 mOhmios | ||
| - 8 V, + 8 V | ||
| 850mV | ||
| 3,5 nC | ||
| - 55C | ||
| + 150C | ||
| 860 mW | ||
| Mejora | ||
| TrincheraFET | ||
| Carrete | ||
| Cortar cinta | ||
| ratóncarrete | ||
| Marca: | Semiconductores Vishay | |
| Configuración: | Único | |
| Otoño: | 7 ns | |
| Altura: | 1,45 mm | |
| Longitud: | 2,9mm | |
| Tipo de producto: | MOSFET | |
| Hora de levantarse: | 7 ns | |
| Serie: | SI2 | |
| 3000 | ||
| Subcategoría: | MOSFET | |
| Tipo de transistor: | 1 canal N | |
| Tiempo de retardo de apagado típico: | 30 ns | |
| Tiempo típico de retardo de encendido: | 8 ns | |
| Ancho: | 1,6mm | |
| Alias de parte #: | SI2302CDS-T1-BE3 SI2302CDS-GE3 | |
| Unidad de peso: | 0.000282 onzas |
producto del tag:
