SI1553CDL-T1-GE3 SI1553CDL-T1-BE3
- Vishay Semiconductors
- Porcelana
- 21+/22+
- 5000~50000
1, suministro de fábrica EMS súper grande, las mejores condiciones de almacenamiento;
2, la fábrica original no ha abierto el estándar original (el paquete completo), la calidad está garantizada;
3, los materiales de control no especiales no se pueden pintar;
4, los productos del último año, disponibles para una variedad de materiales escasos;
| Atributo del producto | Valor de atributo | Seleccionar atributo |
|---|---|---|
| Vishay | ||
| Categoria de producto: | MOSFET | |
| RoHS: | Detalles | |
| Y | ||
| SMD/SMT | ||
| HOY-363-6 | ||
| Canal N, Canal P | ||
| 2 canales | ||
| 20 voltios | ||
| 700mA | ||
| 390 mOhmios, 850 mOhmios | ||
| - 12 V, + 12 V | ||
| 1,5 V | ||
| 3 nC | ||
| - 55C | ||
| + 150C | ||
| 340 mW | ||
| Mejora | ||
| TrincheraFET | ||
| Carrete | ||
| Cortar cinta | ||
| ratóncarrete | ||
| Marca: | Semiconductores Vishay | |
| Configuración: | Doble | |
| Otoño: | 13 ns | |
| Tipo de producto: | MOSFET | |
| Hora de levantarse: | 22 ns | |
| Serie: | SI1 | |
| 3000 | ||
| Subcategoría: | MOSFET | |
| Tipo de transistor: | 1 canal N, 1 canal P | |
| Tiempo de retardo de apagado típico: | 22 ns | |
| Tiempo típico de retardo de encendido: | 16 ns | |
| Alias de parte #: | SI1553CDL-T1-BE3 SI1553DL-T1-GE3 SI1563DH-T1-GE3 SI1563EDH-T1-GE3 SI1555DL-T1-E3-S | |
| Unidad de peso: | 0.000265 onzas |
| Atributo del producto | Valor de atributo | Seleccionar atributo |
|---|---|---|
| Vishay | ||
| Categoria de producto: | MOSFET | |
| RoHS: | Detalles | |
| Y | ||
| SMD/SMT | ||
| HOY-363-6 | ||
| Canal N, Canal P | ||
| 2 canales | ||
| 20 voltios | ||
| 700mA | ||
| 390 mOhmios, 850 mOhmios | ||
| - 12 V, + 12 V | ||
| 1,5 V | ||
| 3 nC | ||
| - 55C | ||
| + 150C | ||
| 340 mW | ||
| Mejora | ||
| TrincheraFET | ||
| Carrete | ||
| Cortar cinta | ||
| Marca: | Vishay / Siliconix | |
| Configuración: | Doble | |
| Otoño: | 13 ns | |
| Tipo de producto: | MOSFET | |
| Hora de levantarse: | 22 ns | |
| Serie: | SI1 | |
| 3000 | ||
| Subcategoría: | MOSFET | |
| Tipo de transistor: | 1 canal N, 1 canal P | |
| Tiempo de retardo de apagado típico: | 22 ns | |
| Tiempo típico de retardo de encendido: | 16 ns | |
| Alias de parte #: | SI1553CDL-T1-GE3 |
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